| Model No. |
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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Cell Technology | Monocrystalline | ||||||||||||
| Dimensions | 156.75×156.75 mm | ||||||||||||
| Diagonal | 210±0.5 mm | ||||||||||||
| Cell Thickness | 200 ± 20 µm | ||||||||||||
| No. of Busbars | 5 | ||||||||||||
| Busbar Width | 1.1 mm | ||||||||||||
| Busbar Material | Silver | ||||||||||||
| Anti Reflection Coating | Silicon nitride | ||||||||||||
| Soldering Pad Width | 1.8 mm | ||||||||||||
| Back Surface Field (BSF) | Aluminium | ||||||||||||
| Maximum Power (Pmax) |
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| Voltage at Maximum Power Point (Vmpp) |
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| Current at Maximum Power Point (Impp) |
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| Open Circuit Voltage (Voc) |
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| Short Circuit Current (Isc) |
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| Cell Efficiency |
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| Fill Factor (FF) |
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| Temperature Coefficient of Pmax | -0.42 %/˚C | ||||||||||||
| Temperature Coefficient of Voc | -0.33 %/˚C | ||||||||||||
| Temperature Coefficient of Isc | 0.05 %/˚C | ||||||||||||
| Intensity Dependence |
Intensity
Voc
Vmpp
1000 W/m2
1.0
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